李 帅
个人信息
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出生年月:1986.10 | 出 生 地:河北保定 |
民 族:汉 族 | 最高学历:博 士 |
博士专业:光伏工程(物理学)
导 师:高文秀 教授 陈朝 教授
个人评价
本人具有扎实的半导体相关的知识背景;对多晶硅及单晶硅等半导体内的载流子迁移具有深刻的理解和一定的理论研究成果。在公司内担任过发改委科技支撑计划的子项目的负责人,在公司内部涉及多晶硅提纯、多晶硅内杂质影响研究、多晶硅晶体生长工艺改进及设备制造项目均很好的达到既定目标。由于我长期从事应用型技术的产业化研究,培养了实干的工作意识、坚韧的项目攻关态度与永不放弃的精神。
教育背景
博士 | 厦门大学 能源学院(2012.09 -2017.09) |
| --专 业: | 光伏工程(物理学) |
| --毕业课题: | 补偿晶体硅生长与应用的理论与实验研究 |
硕士 | 中国科学院 | 中科院上海技术物理研究所(2010.09-2012.07) |
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| 中国科学技术大学(2009.09-2010.07) |
| --专 业: | 微电子与固体电子学 |
| --毕业课题: | Ge掺杂多晶硅铸锭实验研究 |
本科 | 山东大学 | 物理学院(2005.09~2009.07) |
| --专 业: | 应用物理学 |
| --毕业课题: | 光子晶体带隙理论及光纤应用 |
常用软件
Matlab, Autocad, Proe, Solidworks, Ansys, Procast, Adobe photoshop
项目经历
进行新型铸锭炉设计,主要涉及石墨热场设计、设备功能结构设计与工艺研究,大幅降低能耗约20%。
进行补偿硅铸锭工艺改进,多晶铸锭有效利用率提高10%。
大型自热定向凝固提纯包的设计,
n型补偿单晶应用,首次拉制出直径8 寸 长1.8 m 的n型补偿单晶,并制作成电池。
编纂物理法补偿硅铸锭的配料工艺指导手册
编纂公司内物理法太阳能级多晶硅的产品控制标准
第一作者发表 SCI文章,JCR分区一区1篇,二区1篇,三区1篇,EI检索1篇。
文章发表
1. Shuai Li, Wenxiu Gao, Qijin Cheng et al. “N-type compensated silicon: resistivity, crystal growth, carrier lifetime, and relevant application for HIT solar cells”Journal of Physics D: Applied Physics,50 11
2. Shuai Li, Wenxiu Gao, Chen chao, Qijin Cheng et al., “Carrier mobility reduction and model in n-type compensated silicon”,Journal of Crystal Growth 476C (2017) pp. 50-57
3. Shuai Li, Wenxiu Gao, Qijin Cheng, Chao Chen et al., “Fabrication and temperature-dependent performance of aluminum-alloyed back-junction n-type silicon solar cells” progress in photovoltaic: research and application
4. Shuai Li, et al. "Germanium doping and impurities analysis on industrial scale mc-silicon ingot." Applied Mechanics and Materials. Vol. 164. Trans Tech Publications, 2012
5. Li Zhen, Zheng Songsheng, Yang Xing, Luo Bin, Li Shuai et al. “Luminescence properties of Sr2MgB2O6:Tb3+,Li+ green-emitting phosphor” Journal of Rare Earths Vol.35, No.3, Mar.,2017,P.211
6. R Chen, AS Pang, Shuai Li, BD Fan, JH Zheng ‘’surface refining by laser scanning on silicon wafers”Materials Science Forum (Volume 833)
7. Xianpei Ren, Peng Wu, Shuai Li, et al. “Characterization of Ga co-doping mc-Si ingot made of solar-grade silicon purified by metallurgical route” Advanced Materials Research, 2013, 703:58-62.
专利申请
共申请专利31件(本人为第一作者或导师作为第一作者,我作为第二作者的),其中授权发明专利14件,授权实用新型专利11件,在公开实审发明专利6件。